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Grundinformationen
- CAS
25617-97-4- Standard-SMILES
[N]#[Ga]- InChIKey
JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N- Summenformel
- GaN
- Durchschnittliche Molmasse
- 83,73 g/mol
- Monoisotopische Masse
- 82,9286476
Namen und Bezeichner
- Bevorzugter Name
- Gallium nitride (GaN)
- IUPAC
- Nitrilogallane
- Lokaler Name
- Galliumnitrid
- Englischer Name
- GALLIUM NITRIDE
- Summenformel
- GaN
- Molmasse
- 83.73
Namen und Synonyme
NitrilogalliumGALLIUM NITRIDEgalliummononitrideazanylidynegallanegalliumnitride(gan)99.99%(metalsbasis)GALLIUM(III) NITRIDEGallium nitride/ 99.9%GALLIUM NITRIDE POWDERGallium nitride/ 99.99%
Datenbank-Bezeichner
- CAS
25617-97-4- PubChem CID
- 117559
- DTXSID
DTXSID2067111- EC Number
- 247-129-0
- Nikkaji
- J95.944H
Eigenschaften
Physikochemische Eigenschaften
- Schmelzpunkt
- 800 °C · 800 °C (lit.)
- Siedepunkt
- 600 ℃ · decomposes at >600℃ [KIR78]
- Dichte
- 6.1 · 6.1
- Brechungsindex
- 2.7 · 2.70 (27℃)
- Aggregatzustand
- Powder
- Farbe
- Yellow
- Wasserlöslichkeit
- Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.
- Merck
- 14 · 14,4351
- Stabilität
- Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.
- InChI
- InChI=1S/Ga.N
- InChIKey
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N
- SMILES
- N#[Ga]
- CAS Datenbank
- 25617 · 25617-97-4(CAS DataBase Reference)
- EPA chemische Informationen
- Gallium nitride (GaN) (25617-97-4)
Sicherheit und Regulatorisches
Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.
Sicherheitsdaten
- F
- 10-21
- wgk
- 3
- tsca
- TSCA listed
- RTECS-Nr.
- LW9640000
- Toxizität
- mouse,LDLo,intraperitoneal,5gm/kg (5000mg/kg),Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya. Labor Hygiene and Occupational Diseases. Vol. 9(6), Pg. 45, 1965.
- safety_code
- 22-24/25
- Speicherklasse
- 11 - Combustible Solids
- Hazard Classifications
- Skin Sens. 1
Chemie und Industrie
Anwendungen
VerwendenGallium nitride (GaN) is a wide band gap semiconducting material, which can be used in the development of a variety of electronic devices, such as light emitting diodes (LEDs), and field effect transistors (FETs). It can also be used as a transition metal dopant for spintronics-based applications.
Anbieter84 Anbieter
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阿诺西（上海）生物技术有限公司400-1107768 15058188853 · [email protected]
郑州阿尔法化工有限公司+86-18530059196 · [email protected]
湖北永阔科技有限公司027-59223108 15972152991 · [email protected]
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Zugehörige Reaktionen
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