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Trizinkdinitrid

ZINC NITRIDE

HCID 12130759
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GrundinformationenNamen und BezeichnerEigenschaftenSicherheit und RegulatorischesChemie und IndustrieZugehörige ReaktionenNotizen zur Verbindung
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Grundinformationen

CAS
1313-49-1
Standard-SMILES
[N-]=[Zn].[N-]=[Zn].[Zn+2]
InChIKey
MQWQWJHDLOSRJE-UHFFFAOYSA-N
Summenformel
N2Zn3
Durchschnittliche Molmasse
224,18 g/mol

Namen und Bezeichner

Bevorzugter Name
ZINC NITRIDE
Lokaler Name
Trizinkdinitrid
Englischer Name
ZINC NITRIDE
Summenformel
N2Zn3
Molmasse
224.18

Namen und Synonyme

Zine nitrideZINC NITRIDEtrizinc dinitrideZINC NITRIDE, 99.9%Zincnitride(metalsbasis)Zinc Nitride Micro powderZINC NITRIDE ISO 9001:2015 REACHZinc nitride, 99% (metals basis)Zinc nitride, 99% trace metals basisAntimony Selenide (Sb2Se3) Sputtering Targets

Datenbank-Bezeichner

CAS
1313-49-1
PubChem CID
12130759
EC Number
215-207-3

Eigenschaften

Physikochemische Eigenschaften

Dichte
6.22 · 6.22
Löslichkeit
2 O · insoluble in H2O
Aggregatzustand
Powder
Wichte
6.22 · 6.22
Farbe
blue-gray cubic crystals, crystalline
Wasserlöslichkeit
Insoluble in water. Soluble in hydrochloric acid.
CAS Datenbank
1313 · 1313-49-1
EPA chemische Informationen
Zinc nitride (Zn3N2) (1313-49-1)

Sicherheit und Regulatorisches

Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.

Sicherheitsdaten

tsca
TSCA listed

Chemie und Industrie

Anwendungen · 1 Eintrag

VerwendenZinc nitride (Zn3N2) is a scarcely known II-V compound that crystallizes in the anti-bixbyite structure with a body centered cubic lattice.It presents n-type conductivity due to the substitutional incorporation of oxygen atoms in nitrogen sites. Carrier concentrations in the 1018-1019 cm-3 range have been measured by Hall effect in undoped samples grown by magnetron sputtering and molecular beam epitaxy.2,3 Thin films deposited by radio frequency sputtering present good electrical properties such as high mobility and conductivities in the 10-2-10-3 Ω cm range. Zinc nitride is a promising candidate for optoelectronics applications due to its high electron mobility and high electrical conductivity. It is also thought that Zn3N2 can be used as a starting material to achieve p-type conductivity in ZnO-based oxide homojunctions.

Darstellung

synthetischeZinc nitride, Zn3N2, prepared from zinc dust and NH3, hydrolyzes readily to NH3 and the oxide.

Vor- und nachgelagerte Produkte

Vorgelagerte Rohstoffe

ZinkAmmoniak, wasserfrei

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