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3236-82-6CCO.[Nb]3236-82-6Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.
VerwendenNiobium ethoxide is an important precursor for depositing thin films of niobium oxide and other thin films doped with niobium. These thin films are thermally stable and show valuable magnetic, ferroelectric and good conducting properties, hence finding applications as random access memory (RAM) and photovoltaics
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