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19782-68-4C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.[Hf+4]ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N19782-68-4Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.
VerwendenUsed as precursor for atomic layer deposition of Hafnium Oxide nanolaminates, which are used as a reploacement for Silicon oxide in semiconductor devices.
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