Tris(pentan-2,4-dionato-O,O')gallium
Gallium(III) 2,4-pentanedionate
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Grundinformationen
- CAS
14405-43-7- Standard-SMILES
CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.[Ga]- Summenformel
- C15H21GaO6
- Durchschnittliche Molmasse
- 367,05 g/mol
Namen und Bezeichner
- Bevorzugter Name
- Gallium(III) 2,4-pentanedionate
- Lokaler Name
- Tris(pentan-2,4-dionato-O,O')gallium
- Englischer Name
- Gallium(III) 2,4-pentanedionate
- Summenformel
- C15H21GaO6
- Molmasse
- 367.05
Namen und Synonyme
ga(acac)3Tris(2,4-pentanedionato)gallium(III)NSC 166828NSC 166898Gallium(III) 24-pentanedionateAcetylacetone galliumGalliumtrisacetylacetoneGALLIUM ACETYL ACETONATEGallium Triacetylacetonate
Datenbank-Bezeichner
- CAS
14405-43-7- PubChem CID
- 6333026
Eigenschaften
Physikochemische Eigenschaften
- Schmelzpunkt
- 196 · 196-198 °C (dec.)(lit.)
- Siedepunkt
- 140 °C · 140°C 10mm
- Dichte
- 1 · 1,42 g/cm3
- storage temp.
- Inert atmosphere,Room Temperature
- Aggregatzustand
- Powder
- Wichte
- 1.42 · 1.42
- Farbe
- white to pale yellow
- Wasserlöslichkeit
- Insoluble in water.
- InChI
- InChI=1S/3C5H8O2.Ga/c3*1-4(6)3-5(2)7;/h3*3,6H,1-2H3;/q;;;+3/p-3/b3*4-3-;
- InChIKey
- ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K
- SMILES
- [Ga](O/C(/C)=C\C(=O)C)(O/C(/C)=C\C(=O)C)O/C(/C)=C\C(=O)C
Sicherheit und Regulatorisches
Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.
Sicherheitsdaten
- wgk
- 3
- tsca
- No
- hs_code
- 2914199090
- risk_code
- 20/21/22-36/37/38-40
- hazard_code
- Xn
- safety_code
- 26-36/37/39
- Speicherklasse
- 11 - Combustible Solids
- Hazard Classifications
- Acute Tox. 4 DermalAcute Tox. 4 InhalationAcute Tox. 4 OralCarc. 2Eye Irrit. 2Skin Irrit. 2STOT SE 3
Chemie und Industrie
Anwendungen
VerwendenIt is used in research on Ga-containing materials. Gallium oxide thin films can be created with atomic layer epitaxy (ALE) by combining gallium acetylacetonate with either water or ozone as the precursor. It can also be used for the synthesis of high purity gallium nitride nano-wires and nano-needles at low temperatures.
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