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1624-01-7CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)CSSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N1624-01-7DTXSID5061829Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.
VerwendenSilicon dioxide thin films prepared by chemical vapor deposition from tetrakis (dimethylamino) silane and ozone. Aminosilanes mere prepared by methods all essentially similar, and only the 15olation of tetrakis-(dimethylamino)-silane.
Keine Reaktionsaufzeichnungen unter den aktuellen Filterkriterien.
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