4-Nitro-o-toluidin

2-Methyl-4-nitroaniline

HCID 7441CAS 99-52-5
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Grundinformationen

Standard-SMILES
Cc1cc([N+](=O)[O-])ccc1N
InChIKey
XTTIQGSLJBWVIV-UHFFFAOYSA-N
Summenformel
C7H8N2O2
Durchschnittliche Molmasse
152,15 g/mol
Monoisotopische Masse
152,0585775

Namen und Bezeichner

Bevorzugter Name
2-Methyl-4-nitroaniline
IUPAC
2-methyl-4-nitroaniline
Lokaler Name
4-Nitro-o-toluidin
Englischer Name
2-Methyl-4-nitroaniline
Summenformel
C7H8N2O2
Molmasse
152.15

Namen und Synonyme

2-Methyl-4-nitroaniline99-52-52-Amino-5-nitrotoluene4-Nitro-o-toluidineBenzenamine, 2-methyl-4-nitro-2-Methyl-4-nitrobenzenamine2-Methyl-4-nitrophenylamine4-NITRO-2-TOLUIDINE4-Nitro-o-toludineCCRIS 28772-Methyl-p-nitroanilineDTXSID3025629
Weitere Namen anzeigen
FAST REDPNOTredrlbase2-AMino-5-FAST RED RL BASETemloTempraCI 37100
FFY36EWC4RNSC 2075EINECS 202-762-13-Methyl-4-aminonitrobenzeneBRN 0775772Azoic diazo component 34, baseAI3-163122-Amino-1-methyl-5-nitrobenzene

Datenbank-Bezeichner

CAS
99-52-5
PubChem CID
7441
DTXSID
DTXSID3025629
ChEMBL
CHEMBL1319213
UNII
FFY36EWC4R
EC Number
202-762-1
Nikkaji
J95.088B

Eigenschaften

Berechnete Struktureigenschaften

XLogP
1,1
Polarare Oberfläche (TPSA)
71,8 Ų
H-Brücken-Donoren
1
H-Brücken-Akzeptoren
3
Frei drehbare Bindungen
0
Schwere Atome
11

Physikochemische Eigenschaften

Schmelzpunkt
130 · 130-132 °C(lit.)
Siedepunkt
294.61 °C · 294.61°C (rough estimate)
Dichte
1.1586 · 1.1586
Dampfdruck
20.4 hPa · 20.4hPa at 133.5℃
Brechungsindex
1.6276 · 1.6276 (estimate)
Flammpunkt
157.2 ℃ · 157.2℃

Sicherheit und Regulatorisches

Sicherheitsdaten

wgk
2
tsca
TSCA listed
ridadr
UN 2660 (NITROTOLUIDINES (MONO))
hs_code
29214300
RTECS-Nr.
XU8210000
risk_code
23/24/25-33-51/53

Chemie und Industrie

Anwendungen · 1 Eintrag

Verwenden2-Methyl-4-nitroaniline was used in preparing in-plane aligned nanofibers by the electrospinning technique. It was the starting reagent in the synthesis of 3-chloro-5-methylphenyl isocyanate. It was used to deposit polycrystalline thin films on Ag, Cu and Si by conventional and partially ionized beam deposition.

Vor- und nachgelagerte Produkte

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