Daten werden ergänzt – lade die Seite später neu, um den aktuellen Stand zu sehen
Grundinformationen
- CAS
12063-98-8- Standard-SMILES
[P]#[Ga]- InChIKey
HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N- Summenformel
- GaP
- Durchschnittliche Molmasse
- 100,697 g/mol
- Monoisotopische Masse
- 99,89933523
Namen und Bezeichner
- Bevorzugter Name
- Gallium phosphide
- IUPAC
- Gallanylidynephosphane
- Lokaler Name
- Galliumphosphid
- Englischer Name
- GALLIUM PHOSPHIDE
- Summenformel
- GaP
- Molmasse
- 100.7
Namen und Synonyme
GALLIUM PHOSPHIDE, 99.99%Ccris 4019Einecs 235-057-2GALLIUM PHOSPHIDEGalenium PhosphidegalliummonophosphidePhosphinidynegalliumgallanylidynephosphanegallium(III) phosphideGallium phosphide (gap)
Datenbank-Bezeichner
- CAS
12063-98-8- PubChem CID
- 82901
- DTXSID
DTXSID60894184- UNII
- 3J421F73DV
- EC Number
- 235-057-2
- Nikkaji
- J95.943J
Eigenschaften
Physikochemische Eigenschaften
- Schmelzpunkt
- 1480 °C · 1480 °C
- Dichte
- 4.13 g/mL · 4.13 g/mL at 25 °C
- Brechungsindex
- 2.9 · 2.9
- Flammpunkt
- 230 °F · 230 °F
- Aggregatzustand
- Solid
- Wichte
- 4.1 · 4.1
- Farbe
- Pale orange
- Wasserlöslichkeit
- Insoluble in water.
- Merck
- 14 · 14,4353
- InChI
- InChI=1S/Ga.P
- InChIKey
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N
- SMILES
- P#[Ga]
- Knoop Microhardness
- 9450 · 9450, N/mm2
- CAS Datenbank
- 12063 · 12063-98-8(CAS DataBase Reference)
- EPA chemische Informationen
- Gallium phosphide (GaP) (12063-98-8)
Sicherheit und Regulatorisches
Sicherheitsangaben dienen nur zur Orientierung und ersetzen weder das Sicherheitsdatenblatt (SDB) des Lieferanten noch geltende Vorschriften oder eine fachliche Bewertung.
Sicherheitsdaten
- F
- 10-21
- wgk
- 2
- tsca
- TSCA listed
- ridadr
- 3288
- RTECS-Nr.
- LW9675000
- risk_code
- 36/37
- hazard_code
- Xi
- safety_code
- 26
- Speicherklasse
- 11 - Combustible Solids
- Hazard Classifications
- Eye Irrit. 2STOT SE 3
Chemie und Industrie
Anwendungen
VerwendenGallium phosphide (GaP) is used in semiconductor devices, and in the manufacture of light-emitting diodes (LEDs) doped with other elements or in combination with gallium arsenide phosphide. With appropriate dopants, p-type and n-type semiconductors can be produced. It is used in optical systems.
Darstellung
synthetischeThe compound is prepared by vapor phase reaction of gallium suboxide, Ga2O and phosphorus. It is produced in polycrystalline form or as single crystals or whiskers in high purity grade for use in semiconducting devices.
Vor- und nachgelagerte Produkte
Vorgelagerte Rohstoffe
Anbieter49 Anbieter
北京华美互利生物化工010-56205725 · [email protected]
阿诺西（上海）生物技术有限公司400-1107768 15058188853 · [email protected]
上海阿拉丁生化科技股份有限公司400-6206333 13167063860 · [email protected]
广州纳珑化工有限公司13192879270; 13192879270 · [email protected]
Baoji Guokang Healthchem co.,ltd+8615604608665 15604608665 · [email protected]
Zugehörige Reaktionen
0
Keine Reaktionsaufzeichnungen unter den aktuellen Filterkriterien.
Notizen zur Verbindung
Wird geladen…