Bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(III)
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基本情報
- CAS
435294-03-4- 標準SMILES
CC(=O)[CH-]C(C)=O.c1ccc(-c2nccc3ccccc23)[c]([Ir+][c]2ccccc2-c2nccc3ccccc23)c1- InChIKey
SQMQOSSYPCILHQ-DVACKJPTSA-N- 分子式
- C35H28IrN2O2-2
- 平均分子量
- 700.826 g/mol
名称と識別子
- 優先名称
- Bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(III)
- 英語名
- Bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(III)
- 分子式
- C35H28IrN2O2-2
- 分子量
- 700.82602
名称と別名
(piq)2Ir(acac)Bis(1-phenyl-isoquinoline)(Acetylacetonato)iridium(III)Iridium (III) bis(2-phenylquinolyl-N,C2') acetylacetonateIridium, bis(1-phenyl-isoquinolinato-C2,N) acetylacetonateBis(1-phenyl-isoquinoline-C2,N)(acetylacetonato)iridium(III)IridiuM (III) bis(1-phenylisoquinolyl-N,C2') acetylacetonateIr(piq)2(acac) , Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonato)irBis[2-(1-isoquinolinyl-N)phenyl-C](2,4-pentanedionato-O2,O4)iBis[2-(1-isoquinolinyl-N)phenyl-C](2,4-pentanedionato-O2,O4)iridium(III)iridium(III) 4-oxopent-2-en-2-olate bis(2-(isoquinolin-1-yl)benzen-1-ide)
データベース識別子
- CAS
435294-03-4
物性
物理化学的性質
- 融点
- 366 · 366-370°C
- 貯蔵温度
- 2 · 2-8°C, protect from light, stored under nitrogen
- 外見
- 粉末または結晶
- 色
- Red
- InChI
- InChI=1S/2C15H10N.C5H8O2.Ir/c2*1-2-7-13(8-3-1)15-14-9-5-4-6-12(14)10-11-16-15;1-4(6)3-5(2)7;/h2*1-7,9-11H;3,6H,1-2H3;/q2*-1;;/b;;4-3-;
- InChIKey
- SQMQOSSYPCILHQ-DVACKJPTSA-N
- SMILES
- CC(=O)[CH-]C(C)=O.[Ir+](c1ccccc1-c2nccc3ccccc23)c4ccccc4-c5nccc6ccccc56
- Absorption
- 302 nm · λmax302 nm in THF
安全と法規制
安全情報は参考情報です。供給元の安全データシート（SDS）、適用法令、専門家による評価に代わるものではありません。
安全データ
- wgk
- 3
- risk_code
- 36/37/38
- hazard_code
- Xi
- safety_code
- 26
- ストレージクラス
- 11 - Combustible Solids
化学と産業
応用分野
説明Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III),Ir(piq)2(acac) is widely used as an efficient phosphorescent red emitter dopant material in PhOLED devices.It was reported that the piq ligand canpartiallysuppressthe triplet-triplet annihilation and show short phosphorescent lifetime [2].
使用High efficiency Red Dopant Material for OLED devices. 17 Cd/A current efficiency; 10 lm/W power efficiency; and 8.8% external quantum efficiency can be achieved for devices using this material.
関連反応
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化合物ノート
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