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基本情報
- CAS
22398-80-7- 標準SMILES
[P]#[In]- InChIKey
GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N- 分子式
- InP
- 平均分子量
- 145.792 g/mol
- 単同位体質量
- 145.87763963
名称と識別子
- 優先名称
- Indium phosphide
- 現地名
- ホスフィニジンインジウム(III)
- 英語名
- INDIUM PHOSPHIDE
- 分子式
- InP
- 分子量
- 145.79
名称と別名
リン化インジウム(III)ホスフィントリイルインジウム(III)ホスフィニジンインジウム(III)りん化インジウムりん化インジウム(Ⅲ)りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREMInPpolycrystallinelumpindiummonophosphideIndiumphsophidewaferIndium monophosphideINDIUM(III) PHOSPHIDE
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INDIUM PHOSPHIDE LUMPIndium phosphide waferIndium phosphide (InP)indiganylidynephosphane
データベース識別子
- CAS
22398-80-7- PubChem CID
- 31170
- DTXSID
DTXSID3031444- UNII
- SD36LG60G1
- EC Number
- 244-959-5
- Nikkaji
- J96.359C
物性
物理化学的性質
- 融点
- 1070 °C · 1070°C
- 比重(密度)
- 4 · 4,787 g/cm3
- 溶解性
- slightly soluble in acid solutions
- 外見
- ピース
- 色
- 黒
- 水溶解度
- 水に不溶。
- Merck
- 14 · 14,4953
- InChI
- 1S/In.P
- InChIKey
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
- SMILES
- P#[In]
- Knoop Microhardness
- 4100 · 4100, N/mm2
- CAS データベース
- 22398 · 22398-80-7(CAS DataBase Reference)
- EPAの化学物質情報
- Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
化学的性質
化学的特性black crystal(s); 6mm pieces and smaller with 99.999% purity; semiconductor; band gap, eV, 1.42 (0K) and 1.35 (300K); mobility (300K), cm2/(V·s), 4600 electrons and 150 holes; dielectric constant 12.4; effective mass 0.077 electrons and 0.64 holes [KIR82] [CER91] [STR93]
安全と法規制
安全情報は参考情報です。供給元の安全データシート（SDS）、適用法令、専門家による評価に代わるものではありません。
安全データ
- wgk
- 3
- tsca
- TSCA listed
- rtecs
- NL1800000
- ridadr
- 3288
- 毒性
- mouse,LD,intraperitoneal,> 5gm/kg (5000mg/kg),ENDOCRINE: CHANGES IN SPLEEN WEIGHTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: CHANGES IN LUNG WEIGHTBLOOD: "CHANGES IN SERUM COMPOSITION (E.G., TP, BILIRUBIN, CHOLESTEROL)",Journal of Occupational Health. Vol. 38, Pg. 6, 1996.
- 化審法
- 新規公示化学物質（2011年3月31日以前届出）
- hazard_code
- T
- safety_code
- 24/25-45-53
- Hazard Classifications
- Carc. 1BRepr. 2STOT RE 1
- ストレージクラス
- 6.1C - Combustible acute toxic Cat.3toxic compounds or compounds which causing chronic effects
- 有毒物質データの
- 22398-80-7(Hazardous Substances Data)
化学と産業
応用分野
解説リン化インジウム．インジウムリンともいう．Inとリンとを，封管中または不活性気体や H2 中で加熱反応させるか，InとPCl3またはP2O5を高温に加熱するか，In2O3またはIn2(C2O4)3とPH3を高温で反応させると得られる．金属光沢のある無色～灰色の立方晶系結晶．せん亜鉛鉱型構造．融点1070 ℃．比誘電率10.8．Ⅲ-Ⅴ半導体で，バンドギャップ1.28 eV(330 K)．空気中で安定である．水や無機酸に侵されにくい．アルカリ水溶液と加熱すると，ホスフィンを発生して分解する．半導体レーザー，発光ダイオード，IC材，太陽電池の素子などに用いられる．ヒ化ガリウムより電子の走行速度が高く，電界効果トランジスタや，インジウム，ガリウム，ヒ素，リン四元の半導体によるレーザーを成長するための基板に適していることなどから，近年注目されている半導体である。結晶の作製がむずかしく，その良質化が望まれている。インジウム・リンとも呼ばれる。
使用In electronics for research on semiconductors.
上流・下流製品情報
上流原料
サプライヤー62 社
上海阿拉丁生化科技股份有限公司400-6206333 13167063860 · [email protected]
陕西缔都新材料有限公司029-63373950 17392216152 · [email protected]
Baoji Guokang Healthchem co.,ltd+8615604608665 15604608665 · [email protected]
Dayang Chem (Hangzhou) Co.,Ltd.+86-0571-88938639 17705817739 · [email protected]
上海迈瑞尔生化科技有限公司4006356688 18621169109 · [email protected]
武汉易泰科技有限公司上海分公司18930552037 · [email protected]
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