データを補完しています。しばらくしてからページを更新すると最新の内容を表示できます
18166-43-3CC(C)(C)O[Si](O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)CHLDBBQREZCVBMA-UHFFFAOYSA-N18166-43-3DTXSID30311474安全情報は参考情報です。供給元の安全データシート(SDS)、適用法令、専門家による評価に代わるものではありません。
使用Tris(tert-alkoxy)silanols reacts with tetrakis(dimethylamino)-hafnium vapor(Hf(N(CH3)2)4) for vapor phase deposition of hafnium silicate glass films. Tris(tert-butoxy)silanol is used for atomic layer deposition (ALD) of highly conformal layers of amorphous silicon dioxide and aluminum oxide nanolaminates.
一般的な説明Tris(tert-butoxy)silanol can react with various metal alkyl amides to act as precursors for vapor deposition metal silicates. It also acts as a suitable precursor for deposition of silica.
読み込み中…
読み込み中…
現在のフィルター条件では反応記録がありません。
読み込み中…