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基本情報
- CAS
1312-41-0- 標準SMILES
[In]#[Sb]- InChIKey
WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N- 分子式
- InSb
- 平均分子量
- 236.58 g/mol
名称と識別子
- 優先名称
- Indium(III) antimonide
- 現地名
- スチビントリイルインジウム(III)
- 英語名
- Indium(III) antimonide
- 分子式
- InSb
- 分子量
- 236.58
名称と別名
スチビントリイルインジウム(III)アンチモン化インジウムインジウムアンチモンアンチモン化インジウム(III) (99.99%-In) PURATREMインジウム（III）アンチモニドインジウムモノアンチモニドインジガニリジンスチバンINDIUM ANTIMONIDEInSbindium stibideAntimony-indiumindiganylidynestibane
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Indium antimonide lumpIndium(III) antimonideStibinetriylindium(III)IndiumantimonideblackxtlIndium antimonide, 99.5%
データベース識別子
- CAS
1312-41-0- PubChem CID
- 3468413
- UNII
- CVZ50C0S9O
- EC Number
- 215-192-3
- Nikkaji
- J96.363A
物性
物理化学的性質
- 融点
- 535 °C · 535°C
- 比重(密度)
- 5 · 5,76 g/cm3
- 貯蔵温度
- Store at room temperature, keep dry and cool
- 外見
- 結晶
- 比重
- 5.76 · 5.76
- 色
- 黒
- 水溶解度
- 水に不溶。
- 比熱容量
- 0.21 J/ · Cp(crystal): 0.21 J/(g·K), at 25℃
- Merck
- 14 · 14,4948
- InChI
- 1S/In.Sb
- InChIKey
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N
- SMILES
- [In]#[Sb]
- Knoop Microhardness
- 2200 · 2200, N/mm2
- CAS データベース
- 1312 · 1312-41-0(CAS DataBase Reference)
- EPAの化学物質情報
- Antimony, compd. with indium (1:1) (1312-41-0)
化学的性質
化学的特性Crystalline solid.
安全と法規制
安全情報は参考情報です。供給元の安全データシート（SDS）、適用法令、専門家による評価に代わるものではありません。
安全データ
- wgk
- 2
- tsca
- TSCA listed
- rtecs
- NL1105000
- ridadr
- UN 1549 6.1/PG 3
- hs_code
- 2853909090
- risk_code
- 20/22-51/53
- hazard_code
- Xn,N
- safety_code
- 61
- hazard_class
- 6.1
- packing_group
- III
- Hazard Classifications
- Acute Tox. 4 InhalationAcute Tox. 4 OralAquatic Chronic 2
- ストレージクラス
- 6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects
化学と産業
応用分野
解説InSb(236.58)．成分金属の計算量を水素または希ガス中で混合溶融すると得られる．金属間化合物で，立方晶系，せん亜鉛鉱型構造．Sb-In2.80 Å．密度5.74 g cm－3．融点535 ℃．Ⅲ-Ⅴ半導体，ホール素子，バンドギャップ0.18 eV(25 ℃)．化合物半導体の素材，赤外線検出素子，磁気抵抗材などに用いられる．[CAS 1312-41-0]森北出版「化学辞典（第2版）
使用In semiconductor electronics. Grown p-n junctions(Indium(III) antimonide) have been made by doping a melt with an acceptor impurity such as zinc or cadmium, and dipping in an n-type crystal. Rate-grown junctions have also been made. Broad-area surface junctions have been produced by out-diffusing antimony in vacuum from the surface of an n-type crystal, producing a p-n junction just inside the surface. Also has photoconductive, photoelectromagnetic, and magnetoresistive properties. Useful as an infrared detector and filter, and in Hall effect devices.
一般的な説明This product has been enhanced for energy efficiency.
調製方法
製造方法Indium antimonide may be synthesized from its elements by fusion of sto-ichiometric amounts of indium and antimony at elevated temperatures in anevacuated, sealed ampule.
Intermetallic semiconductors of indium are formed from group III and group V elements, requiring very high purity of the elements (0.1 ppm).
上流・下流製品情報
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