Trimethylsilane
993-07-7C[SiH](C)CPQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N993-07-7DTXSID60870822Gas Vapor
Colorless compressed gas with a mild repulsive odor; [Linde Gas MSDS]
安全情報は参考情報です。供給元の安全データシート(SDS)、適用法令、専門家による評価に代わるものではありません。
Danger
H220 (82%): Extremely flammable gas [Danger Flammable gases]
P203, P210, P222, P233, P240, P241, P242, P243, P261, P264, P264+P265, P271, P280, P302+P352, P303+P361+P353, P304+P340, P305+P351+P338, P319, P321, P332+P317, P337+P317, P362+P364, P370+P378, P377, P381, P403, P403+P233, P403+P235, P405, P410+P403, and P501 (click each P-code to see the statement)
Aggregated GHS information provided per 217 reports by companies from 8 notifications to the ECHA C&L Inventory. Each notification may be associated with multiple companies.
Silane, trimethyl- is listed on the EPA's Chemical Data Reporting (CDR) system. Manufacturers and importers of Silane, trimethyl- are required to report information about their production and use of this chemical to the EPA under the Toxic Substances Control Act (TSCA). (40 eCFR Part 711)
REACH registered substance: Trimethylsilane (EC: 213-603-0)
All Other Basic Inorganic Chemical Manufacturing
Silane, trimethyl-: ACTIVE
用途トリメチルシラン (trimethylsilane) 引火性が非常に大きい。プラズマ相のエッチング液として半導体工業で用いられる。
使用用途トリメチルシランの主な使用用途は、半導体製造における成膜の原料です。例えば、プラズマCVD法において、低誘電率層間絶縁膜形成の原料ガスとしてトリメチルシランが使われています。具体的には、SiC、SiOC、SiO2、SiN膜などの材料に用いられます。 合成したトリメチルシランを半導体製造に用いるためには、精製により純度を高めることが不可欠です。代表的な不純物は、メチルシラン、ジメチルシラン、や、合成の過程で残存した未反応のクロロシランなどです。これらの不純物の除去のためには、蒸留操作・再結晶・再沈殿・昇華などを利用した一般的な精製方法が行われています。 その他にも、活性炭を利用する方法や吸収溶液でガスを洗浄する方法なども開発されてきています。これらは、より高効率な精製方法を志向したものです。吸収溶液を用いる方法においては、不純物を含むトリメチルシランをpH2からpH4の吸収溶液に接触させ、洗浄します。
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