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名称と識別子
- 優先名称
- TIN(II) IODIDE
- 現地名
- ジヨードすず(II)
- 英語名
- TIN(II) IODIDE
- 分子式
- I2Sn
- 分子量
- 372.52
名称と別名
すず(II)ジヨージドジヨードすず(II)よう化第一すずヨウ化スズヨウ化スズ（Ⅰ）よう化すず(Ⅱ)〔第一〕ヨウ化スズ（II）よう化すず(II) [ペロブスカイト前駆体用]よう化すず(II), 99+%よう化すず(II), 99%よう化すず(II), ultra dry, 99.999% (metals basis)ジヨードスタンナン
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SnI2TIN IODIDESTANNOUS IODIDEdiiodotinTindiiodideTin(Ⅱ)iodideTIN(+2)IODIDEYin(Ⅱ) iodideDiiodotin(II)TIN(II) IODIDE
データベース識別子
- CAS
10294-70-9- PubChem CID
- 9951390
- UNII
- OSH64454WG
- Nikkaji
- J44.250J
物性
物理化学的性質
- 融点
- 320 °C · 320 °C (lit.)
- 沸点
- 714 °C · 714 °C (lit.)
- 比重(密度)
- 5.28 g/mL · 5.28 g/mL at 25 °C (lit.)
- 闪点
- 720 °C · 720°C
- 貯蔵温度
- RT, protect from light, stored under nitrogen
- 溶解性
- ベンゼン、二硫化炭素、クロロホルム、アルカリ塩化物およびヨウ化物の溶液に可溶。
- 外見
- 粉
- 比重
- 5.28 · 5.28
- 色
- オレンジから赤
- 水溶解度
- ベンゼン、二硫化炭素、クロロホルム、アルカリ金属塩化物およびヨウ化物の溶液に可溶。水中では分解反応が起こります。
- Merck
- 14 · 14,8785
- 主な用途
- 材料合成前駆体ペロブスカイト太陽電池
- InChI
- 1S/2HI.Sn/h2*1H;/q;;+2/p-2
- InChIKey
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L
- SMILES
- I[SnH2]I
- CAS データベース
- 10294 · 10294-70-9(CAS DataBase Reference)
- EPAの化学物質情報
- Tin iodide (SnI2) (10294-70-9)
化学的性質
化学的特性reddish orange powder(s); moisture sensitive; enthalpy of vaporization 105kJ/mol [CRC10] [STR93]
安全と法規制
安全情報は参考情報です。供給元の安全データシート（SDS）、適用法令、専門家による評価に代わるものではありません。
安全データ
- wgk
- 3
- tsca
- TSCA listed
- rtecs
- XQ3650000
- ridadr
- UN 3260 8/PG 2
- hs_code
- 28276000
- risk_code
- 61-20/21/22-36/37/38-42/43
- 化審法
- (1)-1159
- hazard_code
- T
- safety_code
- 53-22-26-36/37/39-45
- hazard_class
- 8
- packing_group
- III
- 毒劇物取締法
- 劇物
- Hazard Classifications
- Acute Tox. 4 InhalationAcute Tox. 4 OralEye Dam. 1Met. Corr. 1Skin Corr. 1BSkin Sens. 1STOT RE 2STOT SE 3
- ストレージクラス
- 8A - Combustible corrosive hazardous materials
化学と産業
応用分野
使用Tin(II) iodide is used to prepare organic-inorganic perovskite thin films which exhibit uniform surfaces and strong photoluminescence. It finds application as an analytical reagent in the determination of rhodium and iridium by spectrophotometry. It is also involved in the synthesis of CH3(CH2)11NH3]SnI3 which is a hybrid semiconductor with MoO3 type tin(II) iodide layers.
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