인듐 안티모니드
인듐안티모니드 · 인듐안티모니드(INDIUMANTIMONIDE) · 인듐 안티몬화물 · 안티모니와 인듐의 화합물 (1:1) · 안티모니화 인듐 · 인듐 모노안티모나이드 · 인듐 안티모나이드 (InSb) · 인듐과 안티모니의 화합물 (1:1)
식별자 및 물리적 특성
| CAS No. | 1312-41-0 |
|---|---|
| 분자식 | InSb |
| 평균 분자량 | 236.58 g/mol |
| SMILES | [In]#[Sb] |
| InChIKey | WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N |
| PubChem CID | 3468413 |
| EC No. | 215-192-3 |
| 현지명 | 인듐 안티모니드 |
화학 및 물리적 성질
| 녹는점 | 535°C |
|---|---|
| 밀도 | 5,76 g/cm3 |
| 저장 조건 | Store at room temperature, keep dry and cool |
| 물리적 상태 | 수정 같은 |
| 비중 | 5.76 |
| 색상 | 검은색 |
| 용해도 | 물에 불용성. |
| 비열 | Cp(crystal): 0.21 J/(g·K), at 25℃ |
| Merck | 14,4948 |
| InChI | 1S/In.Sb |
| InChIKey | WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | [In]#[Sb] |
| Knoop Microhardness | 2200, N/mm2 |
| EPA | Antimony, compd. with indium (1:1) (1312-41-0) |
화학적 성질
Crystalline solid.
안전 및 규제
| 수질 위해 등급(WGK) | 2 |
|---|---|
| TSCA 등재 상태 | TSCA listed |
| RTECS 번호 | NL1105000 |
| 운송 번호(UN) | UN 1549 6.1/PG 3 |
| 관세 코드 | 2853909090 |
| 위험 문구(R) | 20/22-51/53 |
| 위험 표시 | Xn,N |
| 안전 문구(S) | 61 |
| 포장분류 | III |
| 위험 등급 | 6.1Acute Tox. 4 InhalationAcute Tox. 4 OralAquatic Chronic 2 |
| 기존화학 물질 | KE-01838 |
| 저장 분류 | 6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects |
| 함량 및 규제정보 | 물질구분: 유독물질혼합물(제품)함량정보: 무기 안티몬 화합물 및 이를 1% 이상 함유한 혼합물. 다만, 산화 안티몬(Antimony(Ⅴ) pentoxide, Antimony(Ⅳ) tetroxide), 황화안티몬(Antimony(Ⅴ) pentasulfide, Antimony(Ⅲ) trisulfide), 안티몬산(HSbO3) 염류(Antimonic(Ⅴ) acid, salts), 피그먼트 브라운 24(C.I. Pigment Brown 24), 피그먼트 옐로우 53 (C.I. Pigment Yellow 53) 및 이를 함유한 혼합물과 산화안티몬(Antimony(Ⅲ) trioxide)을 함유한 혼합물은 제외 |
| 유해화학물질 필터링 | 97-1-176 |
용도
용도
In semiconductor electronics. Grown p-n junctions(Indium(III) antimonide) have been made by doping a melt with an acceptor impurity such as zinc or cadmium, and dipping in an n-type crystal. Rate-grown junctions have also been made. Broad-area surface junctions have been produced by out-diffusing antimony in vacuum from the surface of an n-type crystal, producing a p-n junction just inside the surface. Also has photoconductive, photoelectromagnetic, and magnetoresistive properties. Useful as an infrared detector and filter, and in Hall effect devices.
일반 설명
This product has been enhanced for energy efficiency.
제조 및 합성 방법
제조 방법
Indium antimonide may be synthesized from its elements by fusion of sto-ichiometric amounts of indium and antimony at elevated temperatures in anevacuated, sealed ampule.
생산 방법
Intermetallic semiconductors of indium are formed from group III and group V elements, requiring very high purity of the elements (0.1 ppm).