4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol

HCID 2736369CAS 234443-21-1

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Grundinformationen

Standard-SMILES: OCCC(F)(F)C(F)(F)Br
InChIKey: RTTCOQHNKANLOS-UHFFFAOYSA-N
Summenformel: C4H5BrF4O
Durchschnittliche Molmasse: 224,98 g/mol
Monoisotopische Masse: 223,94598976

Namen und Bezeichner

Bevorzugter Name: 4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol
IUPAC: 4-bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol
Englischer Name: 4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol
Summenformel: C4H5BrF4O
Molmasse: 224.98

Namen und Synonyme

234443-21-14-bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-olDTXSID90371312RefChem:1070398DTXCID103223464-Bromo-3,3,4,4-tetrafluoro-1-butanol1-Butanol, 4-bromo-3,3,4,4-tetrafluoro-MFCD00077467C4H5BrF4O4-bromo-3,3,4,4-tetrafluoro-butan-1-ol4-Bromo-1H,1H,2H,2H-perfluorobutan-1-olSCHEMBL246920

Weitere Namen anzeigen

4-BROMO-3,3,4,4-TETRAFLUORO-1-4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol N4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol97%4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol 97%

SCHEMBL42414804-Bromo-3,3,4,4-tetrafLFD2046SBB0967494-bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutanolAKOS007929963AS-48921DA-23139

Datenbank-Bezeichner

CAS: 234443-21-1
PubChem CID: 2736369
DTXSID: DTXSID90371312

Eigenschaften

Berechnete Struktureigenschaften

XLogP: 2,1
Polarare Oberfläche (TPSA): 20,2 Å²
H-Brücken-Donoren: 1
H-Brücken-Akzeptoren: 5
Frei drehbare Bindungen: 3
Schwere Atome: 10
Formalladung: 0
Komplexität: 116

Physikochemische Eigenschaften

Siedepunkt: 70 °C · 70°C 30mm
Dichte: 1.769 · 1.769±0.06 g/cm3(Predicted)
storage temp.: Store at room temperature
pka: 14.29 · 14.29±0.10(Predicted)
Aggregatzustand: liquid
Farbe: Clear, colourless
InChI: InChI=1S/C4H5BrF4O/c5-4(8,9)3(6,7)1-2-10/h10H,1-2H2
InChIKey: RTTCOQHNKANLOS-UHFFFAOYSA-N
SMILES: C(O)CC(F)(F)C(Br)(F)F

Sicherheit und Regulatorisches

Sicherheitsdaten

hs_code: 2905599890
risk_code: 36/37/38
hazard_code: Xi
safety_code: 26-36/37/39
hazard_class: IRRITANT

Chemie und Industrie

Anwendungen · 1 Eintrag

Verwenden4-Bromo-3,3,4,4-tetrafluorobutan-1-ol is used for the synthesis of fluorosulfonates, which are used as chemically scaled-up resist materials suitable for microfabrication techniques, particularly for lithography in steps such as the production of semiconductor devices.