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Silica → Ammonia

HRID 972165
Notizen
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Reaktionsgleichung

Reaktionsgleichung von HRID 972165
[N:1]12[Si:6]34[N:7]5[Si:4]61[N:5]3[Si:2]25[N:3]64.[Si:8](=O)=O>>[N:1]12[Si:6]34[N:7]5[Si:4]61[N:5]3[Si:2]25[N:3]64.[SiH4:8].[NH3:1]
KomponentenVersuchsvorschriftQuellen und NachweiseNotizen zur Reaktion

Komponenten

5

Edukt 2

HCID 24261SilicaHCID 3084099Trisilicon tetranitride

Produkt 3

HCID 222AmmoniaHCID 23953SilaneHCID 3084099Trisilicon tetranitride

Versuchsvorschrift

Next, a middle silicon nitride layer 12 is deposited onto the first layer 10 of silicon dioxide previously deposited. Silicon nitride is produced from the reaction of silane (SiH4) with nitrogen and ammonia (NH3). The nitride deposition is performed, for example, in a "pancake style"]reactor. Typically, 3.5 minutes is required to deposit 500 Angstroms of Si3N4 at 800° C.

Quellen und Nachweise

ORD-Eintrag
ord-6f007f246b7a4bd4a4b23dffc3c83d94
Quelldatensatz
uspto-grants-1977_10
DOI
10.6084/m9.figshare.5104873.v1
Patentnummer
US04052251

Notizen zur Reaktion

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