Tris(2-methoxyethoxy)vinylsilane → Tetraethoxysilane

HRID 352642

反応式

HRID 352642 の反応式
[Si:1]([O:14][CH2:15][CH2:16]C)([O:10][CH2:11][CH2:12]C)([O:6][CH2:7][CH2:8]C)[O:2][CH2:3][CH2:4]C.[Si](OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C.[Si](OCCOC)(OCCOC)(OCCOC)OCCOC.C[Si](OC)(OC)OC.C=C[Si](OC)(OC)OC.C[Si](OCCOC)(OCCOC)OCCOC.ClC[Si](OCC)(OCC)OCC.C=C[Si](OCCOC)(OCCOC)OCCOC>>[Si:1]([O:6][CH2:7][CH3:8])([O:10][CH2:11][CH3:12])([O:14][CH2:15][CH3:16])[O:2][CH2:3][CH3:4]

参加物

9

反応物 8

HCID 14025Tris(2-methoxyethoxy)vinylsilaneHCID 14456MethyltrimethoxysilaneHCID 69627TetrapropoxysilaneHCID 74813TetraisopropoxysilaneHCID 75087Tetra(methoxyethoxy)silaneHCID 76004VinyltrimethoxysilaneHCID 84858Silane, (chloromethyl)triethoxy-HCID 873922,5,7,10-Tetraoxa-6-silaundecane, 6-(2-methoxyethoxy)-6-methyl-

生成物 1

HCID 6517Tetraethoxysilane

実験手順

Si(O-n-C3H7)4; Si(O—isoC3H7)4; Si(OC2H4OCH3)4; CH3Si(OCH3)3; CH2═CHSi(OCH3)3; CH3Si(OC2H4OCH3)3; ClCH2Si(OC2H5)3; CH2═CHSi(OC2H4OCH3)3.

出典と根拠

ORDレコード
ord-6b41455068514db7bd1f8f6d1bbc4e5f
出典データセット
uspto-grants-2004_06
特許番号
US06747079B2

関連ノート

読み込み中…