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기본 정보
- CAS
1312-41-0- 표준 SMILES
[In]#[Sb]- InChIKey
WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N- 분자식
- InSb
- 평균 분자량
- 236.58 g/mol
이름 및 식별자
- 우선 이름
- Indium(III) antimonide
- 현지명
- 인듐 안티모니드
- 영어명
- Indium(III) antimonide
- 분자식
- InSb
- 분자량
- 236.58
이름 및 동의어
인듐안티모니드인듐안티모니드(INDIUMANTIMONIDE)인듐 안티몬화물안티모니와 인듐의 화합물 (1:1)안티모니화 인듐인듐 모노안티모나이드인듐 안티모나이드 (InSb)인듐과 안티모니의 화합물 (1:1)INDIUM ANTIMONIDEInSbindium stibideAntimony-indium
이름 더 보기
indiganylidynestibaneIndium antimonide lumpIndium(III) antimonideStibinetriylindium(III)IndiumantimonideblackxtlIndium antimonide, 99.5%
데이터베이스 식별자
- CAS
1312-41-0- PubChem CID
- 3468413
- UNII
- CVZ50C0S9O
- EC Number
- 215-192-3
- Nikkaji
- J96.363A
물성
물리화학적 성질
- 녹는점
- 535 °C · 535°C
- 밀도
- 5 · 5,76 g/cm3
- 저장 조건
- Store at room temperature, keep dry and cool
- 물리적 상태
- 수정 같은
- Specific Gravity
- 5.76 · 5.76
- 색상
- 검은색
- 수용성
- 물에 불용성.
- 비열
- 0.21 J/ · Cp(crystal): 0.21 J/(g·K), at 25℃
- Merck
- 14 · 14,4948
- InChI
- 1S/In.Sb
- InChIKey
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N
- SMILES
- [In]#[Sb]
- Knoop Microhardness
- 2200 · 2200, N/mm2
- EPA
- Antimony, compd. with indium (1:1) (1312-41-0)
화학적 성질
Crystalline solid.
안전 및 규제
안전 정보는 참고용이며, 공급업체의 물질안전보건자료(SDS), 관련 법규 및 전문가 평가를 대체하지 않습니다.
안전 데이터
- wgk
- 2
- tsca
- TSCA listed
- rtecs
- NL1105000
- ridadr
- UN 1549 6.1/PG 3
- HS 번호
- 2853909090
- risk_code
- 20/22-51/53
- hazard_code
- Xn,N
- safety_code
- 61
- 포장분류
- III
- 위험 등급
- 6.1
- 기존화학 물질
- KE-01838
- Hazard Classifications
- Acute Tox. 4 InhalationAcute Tox. 4 OralAquatic Chronic 2
- 스토리지 클래스
- 6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects
- 함량 및 규제정보
- 물질구분: 유독물질; 혼합물(제품)함량정보: 무기 안티몬 화합물 및 이를 1% 이상 함유한 혼합물. 다만, 산화 안티몬(Antimony(Ⅴ) pentoxide, Antimony(Ⅳ) tetroxide), 황화안티몬(Antimony(Ⅴ) pentasulfide, Antimony(Ⅲ) trisulfide), 안티몬산(HSbO3) 염류(Antimonic(Ⅴ) acid, salts), 피그먼트 브라운 24(C.I. Pigment Brown 24), 피그먼트 옐로우 53 (C.I. Pigment Yellow 53) 및 이를 함유한 혼합물과 산화안티몬(Antimony(Ⅲ) trioxide)을 함유한 혼합물은 제외
- 유해화학물질 필터링
- 97-1-176
화학 및 산업
응용 분야
용도In semiconductor electronics. Grown p-n junctions(Indium(III) antimonide) have been made by doping a melt with an acceptor impurity such as zinc or cadmium, and dipping in an n-type crystal. Rate-grown junctions have also been made. Broad-area surface junctions have been produced by out-diffusing antimony in vacuum from the surface of an n-type crystal, producing a p-n junction just inside the surface. Also has photoconductive, photoelectromagnetic, and magnetoresistive properties. Useful as an infrared detector and filter, and in Hall effect devices.
일반 설명This product has been enhanced for energy efficiency.
제조 방법
Indium antimonide may be synthesized from its elements by fusion of sto-ichiometric amounts of indium and antimony at elevated temperatures in anevacuated, sealed ampule.
생산 방법Intermetallic semiconductors of indium are formed from group III and group V elements, requiring very high purity of the elements (0.1 ppm).
상·하류 제품 정보
상류 원료
공급사60 곳
上海麦克林生化科技股份有限公司021-50706066 15221275939 · [email protected]
湖北成丰化工有限公司13125175253 · [email protected]
毕佳索（上海毕得医药科技股份有限公司）400-6005915 · [email protected]
上海迈瑞尔生化科技有限公司4006356688 18621169109 · [email protected]
北京索莱宝科技有限公司010-50973130 17801761073 · [email protected]
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