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Allyl bromide → HCID 18464852、化合物

HRID 323303
ノート
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反応式

HRID 323303 の反応式
[Si:1]([O:8][CH2:9][CH2:10][CH:11]([CH2:14][C:15]1[CH:20]=[CH:19][CH:18]=[CH:17][CH:16]=1)[C:12]#[N:13])([C:4]([CH3:7])([CH3:6])[CH3:5])([CH3:3])[CH3:2].O1C[CH2:24][CH2:23][CH2:22]1.C[Si]([N-][Si](C)(C)C)(C)C.[Li+].C(Br)C=C>C(OCC)(=O)C.CCCCCC.O.CN(C)P(N(C)C)(N(C)C)=O>[Si:1]([O:8][CH2:9][CH2:10][C:11]([CH2:24][CH:23]=[CH2:22])([CH2:14][C:15]1[CH:16]=[CH:17][CH:18]=[CH:19][CH:20]=1)[C:12]#[N:13])([C:4]([CH3:7])([CH3:6])[CH3:5])([CH3:3])[CH3:2]
参加物反応条件実験手順後処理出典と根拠反応ノート

参加物

8

反応物 4

HCID 7841Allyl bromideHCID 8028TetrahydrofuranHCID 2733832Lithium hexamethyldisilazaneHCID 184645022-(2-(t-Butyldimethylsilyloxy)ethyl)-3-phenylpropionitrile

生成物 1

HCID 18464852HCID 18464852、化合物

試薬・触媒・溶媒 3

HCID 962Water溶媒
HCID 12679
Hexamethylphosphoramide
溶媒
HCID 21226206Ethyl acetate hexane溶媒

反応条件

温度
-78 °C

実験手順

Combine 2-(2-(t-butyldimethylsilyloxy)ethyl)-3-phenylpropionitrile (1.32 g,4.55 mmol) and tetrahydrofuran (8 mL). Cool to −78° C. using a dry-ice/acetone bath. Add a solution of lithium bis(trimethylsilyl)amide (9.1 mL, 1 M in THF, 9.1 mmol). After 30 minutes, add hexamethylphosphoramide (0.25 mL) and allyl bromide (1.10 g, 9.1 mmol). Warm slowly to ambient temperature. After 12 hours, add water and separate the layers. Extract the aqueous layer three times with ethyl acetate. Combine the organic layers and extract with aqueous 1 M hydrochloric acid solution. Dry the combined organic layers over Na2SO4, filter, and concentrate in vacuo to obtain a residue. Chromatograph the residue on silica gel eluting with 5% ethyl acetate/hexane to give the title compound: Rf=0.83 (silica gel, 1/4 ethyl acetate/hexane).

後処理

  1. temperatureWarm slowly to ambient temperature
  2. waitAfter 12 hours
  3. customseparate the layers
  4. extractionExtract the aqueous layer three times with ethyl acetate
  5. extractionextract with aqueous 1 M hydrochloric acid solution
  6. dry with materialDry the combined organic layers over Na2SO4
  7. filtrationfilter
  8. concentrationconcentrate in vacuo
  9. customto obtain a residue

出典と根拠

ORDレコード
ord-e021e76fc36f4edb9f32329fb406b18e
出典データセット
uspto-grants-2001_04
DOI
10.6084/m9.figshare.5104873.v1
特許番号
US06211199B1

反応ノート

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