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Dimethyl Sulfone → HCID 86696142、化合物

HRID 330770
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反応式

HRID 330770 の反応式
C[Si]([N-][Si](C)(C)C)(C)C.[Na+].[Br:11][C:12]1[CH:17]=[CH:16][CH:15]=[C:14](F)[N:13]=1.[CH3:19][S:20]([CH3:23])(=[O:22])=[O:21].[CH2:24]1COC[CH2:25]1>>[Br:11][C:12]1[CH:17]=[CH:16][CH:15]=[C:14]([C:19]2([S:20]([CH3:23])(=[O:22])=[O:21])[CH2:25][CH2:24]2)[N:13]=1
参加物反応条件実験手順後処理出典と根拠反応ノート

参加物

5

反応物 4

HCID 6213Dimethyl SulfoneHCID 8028TetrahydrofuranHCID 6394382-Bromo-6-fluoropyridineHCID 2724254Sodium bis(trimethylsilyl)amide

生成物 1

HCID 86696142HCID 86696142、化合物

反応条件

温度
-17 °C

実験手順

Under inert gas atmosphere 28.4 mL (56.8 mmol) of a sodium-bis-(trimethylsilyl)-amide solution in THF (c=2 mol/L) are chilled to −17° C. and dropwise charged with 2.00 g (11.3 mmol) 2-bromo-6-fluoropyridine. Afterwards 2.14 g (22.7 mmol) dimethyl sulfone are added and the reaction mixture is stirred at −17° C. for 1 h. The reaction is quenched by the addition of aq. sat.NaCl solution and extracted with EtOAc. The organic layer is dried over MgSO4, filtered and the solvent is removed in vacuo.

このページの内容参加物反応条件実験手順後処理出典と根拠反応ノート

後処理

  1. customThe reaction is quenched by the addition
  2. extractionNaCl solution and extracted with EtOAc
  3. dry with materialThe organic layer is dried over MgSO4
  4. filtrationfiltered
  5. customthe solvent is removed in vacuo

出典と根拠

ORDレコード
ord-84aa7a522d6045189b35bc87ee1144ae
出典データセット
uspto-grants-2014_11
DOI
10.6084/m9.figshare.5104873.v1
特許番号
US08877741B2

反応ノート

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